Как мы уже знаем, к концу 2007 года компания Intel начнет массовое производство чипов памяти с изменением фазового состояния (phase change memory, PCM, PRAM). На днях сайт Nikkei Microdevices сообщил о планах по внедрению PRAM-памяти еще одного производителя, корейской компании Samsung.
Samsung уже отправила «избранным» партнерам ознакомительные образцы чипов памяти нового поколения. Инженерные образцы PRAM производители портативных устройств получат в апреле-июне этого года. А массовое производство по 90-нм техпроцессу намечено на первую половину 2008 года. Таким образом, Samsung отстает от Intel по внедрению PRAM, как минимум, на один квартал. С другой стороны, чипы Intel имеют плотность 128 Мбит, а Samsung представит PRAM-память емкостью 256 и даже 512 Мбит.
Ожидается, что PRAM постепенно заменит память типа NOR в мобильных телефонах. Как известно, на рынке флэш-памяти Samsung является лидером в сегменте NAND, но в секторе NOR-памяти в технологическом плане её опережают другие компании (включая Intel), которые выпускают чипы по 65-нм нормам. Samsung же только недавно (во второй половине 2006) начала поставки 90-нм чипов NOR. Осваивая PRAM-память, Samsung надеется в будущем занять лидирующие позиции на этом рынке. Амбициозные планы корейского производителя, похоже, имеют все основания реализоваться.
