March 29 2024 01:37:20
Навигация
· Главная
· Конференция
· Статьи
· Файловый архив
· Новости по темам
· Ссылки
· Связатся с нами
· Расширенный поиск
· Вакансии
Статьи по категориям:
Аналитика
Видеокарты
Звук и акустика
Игры
Корпуса и БП
Материнские платы
Моддинг
Мониторы
Носители информации
Ноутбуки и КПК
Оперативная память
Периферия
Софт
Процессоры
Системы охлаждения
Телефоны
Фотоаппараты
mp3 плееры
Акустика


Последние статьи
· Тестирование корпуса...
· Игра Bioshock – шок,...
· Фотоаппарат FUJIFILM...
· Вольтмод и тестирова...
· LeadTek GeForce 8400...
Новые файлы
Video Card Stability... 10095
RaBIT (ATI Radeon BI... 9127
PowerStrip 3.76 8357
nVidia Tray Tools 1.... 8584
nVHardPage SE 3.5 8326
NiBiTor (NVIDIA BIOS... 8365
GPU-Z 0.1.5 7797
aTuner 1.9.81 7892
ATITool 0.27 beta4 8117
ATI Tray Tools 1.3.6... 8110
Полезная информация:

27 Сентября 2006 Intel продемонстрировала прототип 80-ядерного процессора[3]. Предполагается, что массовое производство подобных процессоров станет возможно после перехода на 32-нанометровый техпроцесс

Общее голосование
Пользуетесь ли Вы ноутбуком?

Да, без него сейчас никуда

Пользуюсь, но редко

Нету, но собираюсь приобрести

Нету, он мне и не нужен

Популярные загрузки
TweakRAM 5.8 buil... 13194
Video Card Stabil... 10095
A64Tweaker v0.6 9484
CoreTemp 0.94 9424
CPUCooL 7.3.6 9213
MemTest 3.5 9129
RaBIT (ATI Radeon... 9127
MemMonster 4.65 9047
MemOptimizer 3.0.1 9021
RivaTuner 2.0 RC 16 8820
RSS News
Рекомендуем:
Samsung начинает производство самых плотных 51-нм NAND флеш-чипов
Оперативная памятьКомпания Samsung Electronics объявила о начале массового выпуска 16-гигабитных NAND флэш-чипов по 51-нанометровой технологии, самой качественной по показателю плотности записи на сегодняшний день в производстве чипов памяти.

Производственный процесс при выпуске 51-нм NAND флэш-чипов может быть на 60% более эффективным, чем при массовом производстве тех же чипов, но по 60-нм технологии. Заметим, что очередной апгрейд производства компании произошёл спустя всего лишь восемь месяцев после объявления о начале массового выпуска 8-гигибитных NAND флэш-чипов по 80-нм технологии в прошлом августе.

На базе нового 16-гигабитного чипа, который обладает внутренней мультиуровневой структурой, можно выпускать 16-гигабайтные модули памяти. Кроме того, с применением новой технологии инженерам Samsung удалось добиться увеличения скорости чтения и записи на чип приблизительно на 80% по сравнению с показателями наработок других компаний.

Ячейки, с которыми работает NAND-память при записи и чтении информации, называются страницами. 60-нм NAND флэш-чип рассчитан на работу со страницами объёмом не более 2 килобайт, а 51-нм версия чипа может считывать данные с 4-килобайтных страниц. Новый продукт Samsung также поддерживает 4-битную технологию коррекции ошибок ECC.

Также компания предложит оптимизированный набор программного обеспечения и обновлений для устройств типа музыкальных телефонов и MP3-плееров, чтобы обеспечить полноценную поддержку 4-килобайтных страниц. Кстати, флэш-карточки памяти и многие MP3-контроллеры уже поддерживают ячейки памяти объёмом в 4 килобайта.

В любом случае, Samsung выбрала правильное время для перехода на производство новых чипов. Именно сейчас пользователями востребованы нововведения, которые привносит в свои чипы эта южнокорейская компания.

  • www.ferra.ru
  • Комментарии
    Нет комментариев.
    Добавить комментарий
    Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
    Рейтинги
    Рейтинг доступен только для пользователей.

    Пожалуйста, залогиньтесь или зарегистрируйтесь для голосования.

    Нет данных для оценки.
    Авторизация
    Логин

    Пароль



    Забыли пароль?
    Запросите новый здесь.
    Сейчас на сайте
    · Гостей: 1

    · Пользователей: 0

    · Всего пользователей: 933
    · Новый пользователь: Oliverk48
    Рекомендуем

    Время загрузки: 0.06 секунд 10,686,177 уникальных посетителей