Компания Fujitsu сообщает о разработке технологии изготовления чипов с топологическими нормами 45-нм, позволяющей получать интегральные микросхемы нового поколения. Одними из главных преимуществ подобных устройств является их высокая производительность и пониженная потребляемая мощность.
Повышения производительности и экономичности устройств удалось добиться благодаря снижению токов утечки по сравнению с микросхемами предыдущего поколения примерно на 20% и снижением времени задержки на 14%. При этом одним из уникальных технологических решений, применённых для изготовления 45-нм чипов, является использование процесса быстрого отжига, длящегося всего несколько миллисекунд. Указанный процесс позволяет формировать неглубокие стоки и истоки транзисторов, при этом предотвращается значительное повышение сопротивления указанных зон транзисторов.
Среди прочих технологических новшеств можно отметить использование нано-кластерного кремния (NCS) с низким значением диэлектрической константы. Подобный материал уже использовался разработчиками Fujitsu при изготовлении 65-нм микросхем, однако теперь NCS применяется не только для внутренних межсоединений, но и для изоляции различных слоёв микросхем.
Компания Fujitsu планирует, что серийное производство 45-нм микросхем начнётся в 2008 году. А использовать представленные устройства планируется в качестве производительных, функциональных и экономичных решений для мобильной электроники.
