Июль 18 2018 14:02:32
Навигация
· Главная
· Конференция
· Статьи
· Файловый архив
· Новости по темам
· Ссылки
· Связатся с нами
· Расширенный поиск
· Вакансии
Статьи по категориям:
Аналитика
Видеокарты
Звук и акустика
Игры
Корпуса и БП
Материнские платы
Моддинг
Мониторы
Носители информации
Ноутбуки и КПК
Оперативная память
Периферия
Софт
Процессоры
Системы охлаждения
Телефоны
Фотоаппараты
mp3 плееры
Акустика


Последние статьи
· Тестирование корпуса...
· Игра Bioshock – шок,...
· Фотоаппарат FUJIFILM...
· Вольтмод и тестирова...
· LeadTek GeForce 8400...
Новые файлы
Video Card Stability... 8113
RaBIT (ATI Radeon BI... 7355
PowerStrip 3.76 6614
nVidia Tray Tools 1.... 6832
nVHardPage SE 3.5 6496
NiBiTor (NVIDIA BIOS... 6656
GPU-Z 0.1.5 6094
aTuner 1.9.81 6214
ATITool 0.27 beta4 6369
ATI Tray Tools 1.3.6... 6344
Полезная информация:

1630 год — Ричард Деламейн создаёт круговую логарифмическую линейку.

Общее голосование
Пользуетесь ли Вы ноутбуком?

Да, без него сейчас никуда

Пользуюсь, но редко

Нету, но собираюсь приобрести

Нету, он мне и не нужен

Популярные загрузки
Video Card Stabil... 8113
A64Tweaker v0.6 7823
CoreTemp 0.94 7679
TweakRAM 5.8 buil... 7520
MemTest 3.5 7508
CPUCooL 7.3.6 7480
MemOptimizer 3.0.1 7440
RaBIT (ATI Radeon... 7355
MemMonster 4.65 7302
RivaTuner 2.0 RC 16 7223
RSS News
Рекомендуем:
Новый тип памяти от IBM
Флеш памятьIBM взялась за сотрудничество с японской компанией TDK для разработки энергонезависимой памяти, основанной на передаче вращающегося магнитного поля (STT-RAM).



Принцип действия STT-RAM такой: электрический ток подаётся на магнит, в результате чего изменяется направление магнитного поля (сверху-вниз или слева-направо). Данное изменение вызывает разницу в сопротивлении, и различные уровни сопротивления регистрируются как «0» или «1». В текущих планах IBM и TDK разработать действующий 65-нанометровый прототип уже через четыре года но, как отметил главный менеджер исследований энергонезависимой памяти в IBM Билл Галлагер (Bill Gallagher), для этого придётся разработать новый тип записи. На сегодняшний день остались только две принципиально новые разработки: это STT-RAM, над которой сейчас работает IBM и TDK, и фазопеременная (PCM, PRAM, PCRAM) память, разработки которой начаты ещё в 1970 году.

Принцип действия фазопеременной памяти – в различии между состоянием запоминающего вещества. Она будет состоять из множества ячеек с особым материалом. Когда ячейка нагревается до нескольких сотен градусов по Цельсию, состояние вещества в ней меняется с кристаллического на аморфное (и наоборот). Это и будет восприниматься считывающим устройством как «0» и «1».

«STT-RAM и фазопеременная (PCM, PRAM, PCRAM) память – вероятно два лидирующих кандидата на рынок в будущем», - отметил Билл Галлагер. При этом STT-RAM является более быстрым типом памяти, а фазопеременная будет более ёмкой. Пока неизвестно, каких скоростей можно будет ожидать от STT-RAM. Это будет зависеть от хода исследований. Однако уже сейчас известно, что фазопеременная (PRAM) память будет в тысячи раз быстрее, чем обычные жёсткие диски, и несколько быстрее, чем Flash-память. Особенно это касается скорости записи, ведь если запись в ячейку флэшки требует сначала убрать текущий заряд, то в фазопеременной памяти процесс будет происходить сразу. А если учесть, что STT-RAM будет ещё быстрее, то ожидаемые скорости просто радуют.

  • www.ferra.ru
  • Комментарии
    Нет комментариев.
    Добавить комментарий
    Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
    Рейтинги
    Рейтинг доступен только для пользователей.

    Пожалуйста, залогиньтесь или зарегистрируйтесь для голосования.

    Нет данных для оценки.
    Авторизация
    Логин

    Пароль



    Забыли пароль?
    Запросите новый здесь.
    Сейчас на сайте
    · Гостей: 6

    · Пользователей: 0

    · Всего пользователей: 933
    · Новый пользователь: Oliverk48
    Рекомендуем

    Время загрузки: 0,04 секунд 8,266,752 уникальных посетителей