Июль 15 2018 23:59:42
Навигация
· Главная
· Конференция
· Статьи
· Файловый архив
· Новости по темам
· Ссылки
· Связатся с нами
· Расширенный поиск
· Вакансии
Статьи по категориям:
Аналитика
Видеокарты
Звук и акустика
Игры
Корпуса и БП
Материнские платы
Моддинг
Мониторы
Носители информации
Ноутбуки и КПК
Оперативная память
Периферия
Софт
Процессоры
Системы охлаждения
Телефоны
Фотоаппараты
mp3 плееры
Акустика


Последние статьи
· Тестирование корпуса...
· Игра Bioshock – шок,...
· Фотоаппарат FUJIFILM...
· Вольтмод и тестирова...
· LeadTek GeForce 8400...
Новые файлы
Video Card Stability... 8108
RaBIT (ATI Radeon BI... 7350
PowerStrip 3.76 6608
nVidia Tray Tools 1.... 6829
nVHardPage SE 3.5 6492
NiBiTor (NVIDIA BIOS... 6654
GPU-Z 0.1.5 6092
aTuner 1.9.81 6211
ATITool 0.27 beta4 6366
ATI Tray Tools 1.3.6... 6340
Полезная информация:

В 1944 году Конрад Цузе разработал ещё более быстрый компьютер Z4.

Общее голосование
Пользуетесь ли Вы ноутбуком?

Да, без него сейчас никуда

Пользуюсь, но редко

Нету, но собираюсь приобрести

Нету, он мне и не нужен

Популярные загрузки
Video Card Stabil... 8108
A64Tweaker v0.6 7821
CoreTemp 0.94 7676
TweakRAM 5.8 buil... 7516
MemTest 3.5 7504
CPUCooL 7.3.6 7479
MemOptimizer 3.0.1 7439
RaBIT (ATI Radeon... 7350
MemMonster 4.65 7298
RivaTuner 2.0 RC 16 7219
RSS News
Рекомендуем:
Транзисторы с добавлением фтора способны работать на частоте 110 ГГц
Новости HardwareКомпании IBM уже удалось создать транзисторы, способные работать на частоте 300 ГГц при комнатной температуре. Эти транзисторы были созданы из кремния с добавлением германия, данное сочетание материалов (SiGe) считается в полупроводниковой промышленности одним из самых перспективных на сегодняшний день. В частности, AMD планирует использовать SiGe в своих процессорах, что поможет ей наращивать частотный потенциал в случае необходимости.

Как сообщает сайт PhysOrg, британским учёным удалось создать биполярный транзистор с добавлением фтора, который способен работать на частоте 110 ГГц. Биполярные транзисторы используются при создании микропроцессоров для мобильных телефонов и различных беспроводных устройств. Новый тип транзистора превосходит существующие образцы по скорости переключения в два раза. Такого эффекта удалось добиться именно за счёт применения соединений фтора.

Фтор используется для уменьшения степени диффузии бора в базе транзистора, что делает её более узкой, позволяя электронам проходить через транзистор на более высокой скорости. Руководитель проекта, профессор Питер Эшбёрн (Peter Ashburn), пояснил, что данное достижение позволит производителям микроэлектроники достигать более высокого быстродействия при незначительных дополнительных затратах. Профессор надеется, что степень диффузии бора удастся снизить ещё на 50%, открыв перспективы для дальнейшего повышения тактовой частоты. Возможно, фтор в этой технологии удастся заменить каким-то ещё более эффективным материалом.

Разработчики технологии утверждают, что подобное быстродействие транзисторов ранее достигалось только при использовании соединений кремния и германия. Очевидно, "фторосодержащие" транзисторы обойдутся дешевле, и найдут своё применение в микропроцессорной технике. Возможно, это открытие даст повод для размышления и компаниям, выпускающим центральные процессоры.
Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.

Пожалуйста, залогиньтесь или зарегистрируйтесь для голосования.

Нет данных для оценки.
Авторизация
Логин

Пароль



Забыли пароль?
Запросите новый здесь.
Сейчас на сайте
· Гостей: 3

· Пользователей: 0

· Всего пользователей: 933
· Новый пользователь: Oliverk48
Рекомендуем

Время загрузки: 0,03 секунд 8,258,894 уникальных посетителей