Сентябрь 23 2018 20:46:29
Навигация
· Главная
· Конференция
· Статьи
· Файловый архив
· Новости по темам
· Ссылки
· Связатся с нами
· Расширенный поиск
· Вакансии
Статьи по категориям:
Аналитика
Видеокарты
Звук и акустика
Игры
Корпуса и БП
Материнские платы
Моддинг
Мониторы
Носители информации
Ноутбуки и КПК
Оперативная память
Периферия
Софт
Процессоры
Системы охлаждения
Телефоны
Фотоаппараты
mp3 плееры
Акустика


Последние статьи
· Тестирование корпуса...
· Игра Bioshock – шок,...
· Фотоаппарат FUJIFILM...
· Вольтмод и тестирова...
· LeadTek GeForce 8400...
Новые файлы
Video Card Stability... 8193
RaBIT (ATI Radeon BI... 7456
PowerStrip 3.76 6690
nVidia Tray Tools 1.... 6905
nVHardPage SE 3.5 6583
NiBiTor (NVIDIA BIOS... 6738
GPU-Z 0.1.5 6186
aTuner 1.9.81 6290
ATITool 0.27 beta4 6451
ATI Tray Tools 1.3.6... 6414
Полезная информация:

UMPC — компактный вариант планшетного компьютера, предназначенный для замены PDA.

Общее голосование
Пользуетесь ли Вы ноутбуком?

Да, без него сейчас никуда

Пользуюсь, но редко

Нету, но собираюсь приобрести

Нету, он мне и не нужен

Популярные загрузки
Video Card Stabil... 8193
A64Tweaker v0.6 7913
CoreTemp 0.94 7837
TweakRAM 5.8 buil... 7604
MemTest 3.5 7571
CPUCooL 7.3.6 7553
MemOptimizer 3.0.1 7517
RaBIT (ATI Radeon... 7456
MemMonster 4.65 7384
RivaTuner 2.0 RC 16 7287
RSS News
Рекомендуем:
Транзисторы с добавлением фтора способны работать на частоте 110 ГГц
Новости HardwareКомпании IBM уже удалось создать транзисторы, способные работать на частоте 300 ГГц при комнатной температуре. Эти транзисторы были созданы из кремния с добавлением германия, данное сочетание материалов (SiGe) считается в полупроводниковой промышленности одним из самых перспективных на сегодняшний день. В частности, AMD планирует использовать SiGe в своих процессорах, что поможет ей наращивать частотный потенциал в случае необходимости.

Как сообщает сайт PhysOrg, британским учёным удалось создать биполярный транзистор с добавлением фтора, который способен работать на частоте 110 ГГц. Биполярные транзисторы используются при создании микропроцессоров для мобильных телефонов и различных беспроводных устройств. Новый тип транзистора превосходит существующие образцы по скорости переключения в два раза. Такого эффекта удалось добиться именно за счёт применения соединений фтора.

Фтор используется для уменьшения степени диффузии бора в базе транзистора, что делает её более узкой, позволяя электронам проходить через транзистор на более высокой скорости. Руководитель проекта, профессор Питер Эшбёрн (Peter Ashburn), пояснил, что данное достижение позволит производителям микроэлектроники достигать более высокого быстродействия при незначительных дополнительных затратах. Профессор надеется, что степень диффузии бора удастся снизить ещё на 50%, открыв перспективы для дальнейшего повышения тактовой частоты. Возможно, фтор в этой технологии удастся заменить каким-то ещё более эффективным материалом.

Разработчики технологии утверждают, что подобное быстродействие транзисторов ранее достигалось только при использовании соединений кремния и германия. Очевидно, "фторосодержащие" транзисторы обойдутся дешевле, и найдут своё применение в микропроцессорной технике. Возможно, это открытие даст повод для размышления и компаниям, выпускающим центральные процессоры.
Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.

Пожалуйста, залогиньтесь или зарегистрируйтесь для голосования.

Нет данных для оценки.
Авторизация
Логин

Пароль



Забыли пароль?
Запросите новый здесь.
Сейчас на сайте
· Гостей: 4

· Пользователей: 0

· Всего пользователей: 933
· Новый пользователь: Oliverk48
Рекомендуем

Время загрузки: 0,07 секунд 8,466,321 уникальных посетителей