Январь 22 2018 18:40:49
Навигация
· Главная
· Конференция
· Статьи
· Файловый архив
· Новости по темам
· Ссылки
· Связатся с нами
· Расширенный поиск
· Вакансии
Статьи по категориям:
Аналитика
Видеокарты
Звук и акустика
Игры
Корпуса и БП
Материнские платы
Моддинг
Мониторы
Носители информации
Ноутбуки и КПК
Оперативная память
Периферия
Софт
Процессоры
Системы охлаждения
Телефоны
Фотоаппараты
mp3 плееры
Акустика


Последние статьи
· Тестирование корпуса...
· Игра Bioshock – шок,...
· Фотоаппарат FUJIFILM...
· Вольтмод и тестирова...
· LeadTek GeForce 8400...
Новые файлы
Video Card Stability... 7703
RaBIT (ATI Radeon BI... 6996
PowerStrip 3.76 6229
nVidia Tray Tools 1.... 6473
nVHardPage SE 3.5 6143
NiBiTor (NVIDIA BIOS... 6306
GPU-Z 0.1.5 5751
aTuner 1.9.81 5845
ATITool 0.27 beta4 6009
ATI Tray Tools 1.3.6... 5972
Полезная информация:

Кевин Дэвид Митник (англ. Kevin David Mitnick; родился 6 августа 1963) — знаковая фигура в сфере информационной безопасности, фактически уже является именем нарицательным. Был осуждён за незаконный доступ к информации (компьютеру), мошенничество и нанесение материального вреда.

Общее голосование
Пользуетесь ли Вы ноутбуком?

Да, без него сейчас никуда

Пользуюсь, но редко

Нету, но собираюсь приобрести

Нету, он мне и не нужен

Популярные загрузки
Video Card Stabil... 7703
A64Tweaker v0.6 7445
CoreTemp 0.94 7315
MemTest 3.5 7150
TweakRAM 5.8 buil... 7143
CPUCooL 7.3.6 7108
MemOptimizer 3.0.1 7083
RaBIT (ATI Radeon... 6996
MemMonster 4.65 6930
RivaTuner 2.0 RC 16 6862
RSS News
Рекомендуем:
UMC изготовила первый 45-нм SRAM-чип
Новости HardwareИнженеры компании United Microelectronics Corporation (UMC). Сообщают о разработке технологии производства чипов SRAM-памяти по новому для себя технологическому процессу с проектной нормой 45-нм. Таким образом, площадь ячейки памяти составляет всего 0,25 кв. мкм. Сообщается, что производство столь миниатюрных схем требует использования иммерсионной фотолитографии, low-k диэлектриков, при этом формируются мелкозалегающие p-n-переходы и повышается подвижность носителей заряда.

Компания UMC планирует начать тестовое производство 45-нм микросхем в следующем году. При этом изготовленные но новому техпроцессу 6-транзисторные ячейки SRAM памяти будут на 50% меньше своих 65-нм аналогов. Более того, ожидается повышение и производительности – на 30%.

Стоит отметить, что конкурирующая компания Taiwan Semiconductor Manufacturing уже изготовила свой первый чип, используя 45-нм техпроцесс и иммерсионную фотолитографию. Устройство состоит из десяти металлических слоев, а длина затвора транзисторов составляет всего 26 нм. В этом случае использовалась технология напряженного кремния, диэлектрические пленки из low-k диэлектрика второго поколения (параметр k снижен до значения 2,5 – 2,6).

  • www.ferra.ru
  • Комментарии
    Нет комментариев.
    Добавить комментарий
    Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
    Рейтинги
    Рейтинг доступен только для пользователей.

    Пожалуйста, залогиньтесь или зарегистрируйтесь для голосования.

    Нет данных для оценки.
    Авторизация
    Логин

    Пароль



    Забыли пароль?
    Запросите новый здесь.
    Сейчас на сайте
    · Гостей: 5

    · Пользователей: 0

    · Всего пользователей: 933
    · Новый пользователь: Oliverk48
    Рекомендуем

    Время загрузки: 0,03 секунд 7,731,387 уникальных посетителей