Апрель 26 2019 00:43:50
Навигация
· Главная
· Конференция
· Статьи
· Файловый архив
· Новости по темам
· Ссылки
· Связатся с нами
· Расширенный поиск
· Вакансии
Статьи по категориям:
Аналитика
Видеокарты
Звук и акустика
Игры
Корпуса и БП
Материнские платы
Моддинг
Мониторы
Носители информации
Ноутбуки и КПК
Оперативная память
Периферия
Софт
Процессоры
Системы охлаждения
Телефоны
Фотоаппараты
mp3 плееры
Акустика


Последние статьи
· Тестирование корпуса...
· Игра Bioshock – шок,...
· Фотоаппарат FUJIFILM...
· Вольтмод и тестирова...
· LeadTek GeForce 8400...
Новые файлы
Video Card Stability... 8455
RaBIT (ATI Radeon BI... 7671
PowerStrip 3.76 6929
nVidia Tray Tools 1.... 7113
nVHardPage SE 3.5 6809
NiBiTor (NVIDIA BIOS... 6952
GPU-Z 0.1.5 6403
aTuner 1.9.81 6516
ATITool 0.27 beta4 6678
ATI Tray Tools 1.3.6... 6659
Полезная информация:

Существуют и планшетники под управлением различных вариантов GNU/Linux.

Общее голосование
Пользуетесь ли Вы ноутбуком?

Да, без него сейчас никуда

Пользуюсь, но редко

Нету, но собираюсь приобрести

Нету, он мне и не нужен

Популярные загрузки
Video Card Stabil... 8455
A64Tweaker v0.6 8136
CoreTemp 0.94 8064
TweakRAM 5.8 buil... 7821
CPUCooL 7.3.6 7788
MemTest 3.5 7785
MemOptimizer 3.0.1 7753
RaBIT (ATI Radeon... 7671
MemMonster 4.65 7631
RivaTuner 2.0 RC 16 7504
RSS News
Рекомендуем:
UMC изготовила первый 45-нм SRAM-чип
Новости HardwareИнженеры компании United Microelectronics Corporation (UMC). Сообщают о разработке технологии производства чипов SRAM-памяти по новому для себя технологическому процессу с проектной нормой 45-нм. Таким образом, площадь ячейки памяти составляет всего 0,25 кв. мкм. Сообщается, что производство столь миниатюрных схем требует использования иммерсионной фотолитографии, low-k диэлектриков, при этом формируются мелкозалегающие p-n-переходы и повышается подвижность носителей заряда.

Компания UMC планирует начать тестовое производство 45-нм микросхем в следующем году. При этом изготовленные но новому техпроцессу 6-транзисторные ячейки SRAM памяти будут на 50% меньше своих 65-нм аналогов. Более того, ожидается повышение и производительности – на 30%.

Стоит отметить, что конкурирующая компания Taiwan Semiconductor Manufacturing уже изготовила свой первый чип, используя 45-нм техпроцесс и иммерсионную фотолитографию. Устройство состоит из десяти металлических слоев, а длина затвора транзисторов составляет всего 26 нм. В этом случае использовалась технология напряженного кремния, диэлектрические пленки из low-k диэлектрика второго поколения (параметр k снижен до значения 2,5 – 2,6).

  • www.ferra.ru
  • Комментарии
    Нет комментариев.
    Добавить комментарий
    Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
    Рейтинги
    Рейтинг доступен только для пользователей.

    Пожалуйста, залогиньтесь или зарегистрируйтесь для голосования.

    Нет данных для оценки.
    Авторизация
    Логин

    Пароль



    Забыли пароль?
    Запросите новый здесь.
    Сейчас на сайте
    · Гостей: 6

    · Пользователей: 0

    · Всего пользователей: 933
    · Новый пользователь: Oliverk48
    Рекомендуем

    Время загрузки: 0,03 секунд 8,895,324 уникальных посетителей