Июль 15 2018 23:53:21
Навигация
· Главная
· Конференция
· Статьи
· Файловый архив
· Новости по темам
· Ссылки
· Связатся с нами
· Расширенный поиск
· Вакансии
Статьи по категориям:
Аналитика
Видеокарты
Звук и акустика
Игры
Корпуса и БП
Материнские платы
Моддинг
Мониторы
Носители информации
Ноутбуки и КПК
Оперативная память
Периферия
Софт
Процессоры
Системы охлаждения
Телефоны
Фотоаппараты
mp3 плееры
Акустика


Последние статьи
· Тестирование корпуса...
· Игра Bioshock – шок,...
· Фотоаппарат FUJIFILM...
· Вольтмод и тестирова...
· LeadTek GeForce 8400...
Новые файлы
Video Card Stability... 8108
RaBIT (ATI Radeon BI... 7350
PowerStrip 3.76 6608
nVidia Tray Tools 1.... 6829
nVHardPage SE 3.5 6492
NiBiTor (NVIDIA BIOS... 6654
GPU-Z 0.1.5 6092
aTuner 1.9.81 6211
ATITool 0.27 beta4 6366
ATI Tray Tools 1.3.6... 6340
Полезная информация:

К 1971 году была разработана первая программа для отправки электронной почты по сети, программа сразу стала очень популярна.

Общее голосование
Пользуетесь ли Вы ноутбуком?

Да, без него сейчас никуда

Пользуюсь, но редко

Нету, но собираюсь приобрести

Нету, он мне и не нужен

Популярные загрузки
Video Card Stabil... 8108
A64Tweaker v0.6 7821
CoreTemp 0.94 7676
TweakRAM 5.8 buil... 7516
MemTest 3.5 7504
CPUCooL 7.3.6 7479
MemOptimizer 3.0.1 7439
RaBIT (ATI Radeon... 7350
MemMonster 4.65 7298
RivaTuner 2.0 RC 16 7219
RSS News
Рекомендуем:
UMC изготовила первый 45-нм SRAM-чип
Новости HardwareИнженеры компании United Microelectronics Corporation (UMC). Сообщают о разработке технологии производства чипов SRAM-памяти по новому для себя технологическому процессу с проектной нормой 45-нм. Таким образом, площадь ячейки памяти составляет всего 0,25 кв. мкм. Сообщается, что производство столь миниатюрных схем требует использования иммерсионной фотолитографии, low-k диэлектриков, при этом формируются мелкозалегающие p-n-переходы и повышается подвижность носителей заряда.

Компания UMC планирует начать тестовое производство 45-нм микросхем в следующем году. При этом изготовленные но новому техпроцессу 6-транзисторные ячейки SRAM памяти будут на 50% меньше своих 65-нм аналогов. Более того, ожидается повышение и производительности – на 30%.

Стоит отметить, что конкурирующая компания Taiwan Semiconductor Manufacturing уже изготовила свой первый чип, используя 45-нм техпроцесс и иммерсионную фотолитографию. Устройство состоит из десяти металлических слоев, а длина затвора транзисторов составляет всего 26 нм. В этом случае использовалась технология напряженного кремния, диэлектрические пленки из low-k диэлектрика второго поколения (параметр k снижен до значения 2,5 – 2,6).

  • www.ferra.ru
  • Комментарии
    Нет комментариев.
    Добавить комментарий
    Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
    Рейтинги
    Рейтинг доступен только для пользователей.

    Пожалуйста, залогиньтесь или зарегистрируйтесь для голосования.

    Нет данных для оценки.
    Авторизация
    Логин

    Пароль



    Забыли пароль?
    Запросите новый здесь.
    Сейчас на сайте
    · Гостей: 3

    · Пользователей: 0

    · Всего пользователей: 933
    · Новый пользователь: Oliverk48
    Рекомендуем

    Время загрузки: 0,04 секунд 8,258,864 уникальных посетителей