ZeLeZo.net.ua - Новости: Samsung разрабатывает многослойную флэш-память

April 20 2024 08:38:06

Навигация

· Главная
· Конференция
· Статьи
· Файловый архив
· Новости по темам
· Ссылки
· Связатся с нами
· Расширенный поиск
· Вакансии

Статьи по категориям:

Аналитика
Видеокарты
Звук и акустика
Игры
Корпуса и БП
Материнские платы
Моддинг
Мониторы
Носители информации
Ноутбуки и КПК
Оперативная память
Периферия
Софт
Процессоры
Системы охлаждения
Телефоны
Фотоаппараты
mp3 плееры
Акустика

Последние статьи

· Тестирование корпуса...
· Игра Bioshock – шок,...
· Фотоаппарат FUJIFILM...
· Вольтмод и тестирова...
· LeadTek GeForce 8400...

Новые файлы

Video Card Stability...	10196
RaBIT (ATI Radeon BI...	9244
PowerStrip 3.76	8453
nVidia Tray Tools 1....	8825
nVHardPage SE 3.5	8554
NiBiTor (NVIDIA BIOS...	8483
GPU-Z 0.1.5	7896
aTuner 1.9.81	7991
ATITool 0.27 beta4	8233
ATI Tray Tools 1.3.6...	8307

Полезная информация:

В 1989 году в Европе, в стенах Европейского совета по ядерным исследованиям (фр. Conseil Europe'en pour la Recherche Nucle'aire, CERN) родилась концепция Всемирной паутины. Её предложил знаменитый британский учёный Тим Бернерс-Ли, он же в течение двух лет разработал протокол HTTP, язык HTML и идентификаторы URI.

Общее голосование

Рекомендуем:

Samsung разрабатывает многослойную флэш-память

Несмотря на то, что у флэш-памяти уже появился первый конкурент в виде памяти на основе фазовых переходов, серьёзных изменений на соответствующем рынке не предвидится ещё около десяти лет. Дело тут в том, что технология производства чипов флэш-памяти ещё реализована далеко не полностью: теоретически существует возможность создавать более ёмкие микросхемы и повышать в дальнейшем их производительность. Что и доказывает компания Samsung, по совместительству являющаяся одним из мировых лидеров в области изготовления флэш-памяти.

Сотрудники южнокорейской корпорации разработали новую технологию производства кристаллов памяти, которая поможет повысить ёмкость чипов до 128 Гбит. Ноу-хау инженеров заключается в уникальном расположении ячеек памяти, которые теперь формируются не на поверхности чипа, а образуют многослойную структуру. Таким образом, кардинально повышается ёмкость при почти неизменных габаритных размерах чипа.

На данный момент разработчики произвели двухслойную структуру, где нижние ячейки памяти сформированы непосредственно на кремниевой пластине, а верхний слой ячеек располагается на предварительно нанесённой тонкой пленке диэлектриков. При этом используется уже разработанная технология формирования многослойной структуры на поверхности кремниевой пластины, получившая обозначение S3. Стоит отметить, что первоначально технология использовалась для создания многослойной статической SRAM-памяти.

Производство многослойной флэш-памяти будет проводиться по 63-нм техпроцессу, при этом будет использоваться специальный материал, TANOS, предназначенный для формирования элементов транзистора, в том числе и управляющего затвора.

www.ferra.ru

Комментарии

Нет комментариев.

Добавить комментарий

Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.

Рейтинги

Рейтинг доступен только для пользователей.

Пожалуйста, залогиньтесь или зарегистрируйтесь для голосования.

Нет данных для оценки.

Авторизация

Забыли пароль?
Запросите новый здесь.

Сейчас на сайте

· Гостей: 4

· Пользователей: 0

· Всего пользователей: 933
· Новый пользователь: Oliverk48