Память от Samsung – производительность и оригинальность
И снова перенесёмся в Пекин, где проходит курируемый компанией Intel форум IDF, на котором компания Samsung представила чипы графической памяти. Среди выставленных на всеобщее обозрение микросхем можно было найти и чипы GDDR4 с пропускной способностью до 3,2 Гбит/с.
Устройства имеют ёмкость 512 Мбит, так что разместив на видеоадаптерах всего восемь таких чипов, графическому процессору можно будет обращаться сразу к 512 Мбайт памяти. Вдвое большее количество микросхем означает наличие на видеокарте памяти объёмом 1 Гбайт.
Однако это ещё не все любопытные новинки от южнокорейской корпорации. Госям форума были представлены весьма оригинальные конвертеры, позволяющие установить в стандартные DIMM-разъёмы «ноутбучную» оперативную память SO-DIMM. Какие перспективы ждут подобное решение Samsung, пока неясно, но идея явно заслуживает внимания.
