Intel переводит производство флэш-памяти на 65-нм процесс
Корпорация Intel опубликовала планы по расширению ассортимента встраиваемой флэш-памяти типа NOR за счет 65-нанометрового поколения продукции – этот шаг ориентирован на заказчиков, выпускающих интегрированные системы. По заявлению компании, переход к использованию 65-нанометровой производственной технологии позволит сбалансировать соотношение между ценой и производительностью, а также продлить жизненный цикл продукции; эти факторы имеют большое значение для OEM-производителей, создающих встраиваемые решения. Начало поставок опытных партий 65-нанометровой продукции Intel, которая обычно используется в устройствах бытовой электроники, в проводном коммуникационном оборудовании и в промышленных приложениях, запланировано на первую половину 2008 г.
«Большинство встраиваемых решений остается в производстве дольше, чем сотовые телефоны или другие устройства бытовой электроники, – говорит Глен Хоук (Glen Hawk), директор подразделения Intel Flash Products Group. – Беспроводные компоненты Intel типа NOR для беспроводных коммуникаций уже выпускаются в массовых объемах по этой передовой производственной технологии. Мы используем полученные знания и опыт для ускорения разработок и поставок своей продукции».
Переход к использованию 65-нанометровой производственной технологии для выпуска встраиваемых компонентов позволит Intel продлить жизненный цикл своей продукции, а также расширить ее функциональные возможности и повысить экономическую эффективность. Предлагаемая Intel продукция типа NOR для сегмента встраиваемых систем включает решения с параллельной и с последовательной выборкой.
