April 26 2024 11:13:52
Навигация
· Главная
· Конференция
· Статьи
· Файловый архив
· Новости по темам
· Ссылки
· Связатся с нами
· Расширенный поиск
· Вакансии
Статьи по категориям:
Аналитика
Видеокарты
Звук и акустика
Игры
Корпуса и БП
Материнские платы
Моддинг
Мониторы
Носители информации
Ноутбуки и КПК
Оперативная память
Периферия
Софт
Процессоры
Системы охлаждения
Телефоны
Фотоаппараты
mp3 плееры
Акустика


Последние статьи
· Тестирование корпуса...
· Игра Bioshock – шок,...
· Фотоаппарат FUJIFILM...
· Вольтмод и тестирова...
· LeadTek GeForce 8400...
Новые файлы
Video Card Stability... 10224
RaBIT (ATI Radeon BI... 9265
PowerStrip 3.76 8472
nVidia Tray Tools 1.... 8848
nVHardPage SE 3.5 8570
NiBiTor (NVIDIA BIOS... 8505
GPU-Z 0.1.5 7914
aTuner 1.9.81 8008
ATITool 0.27 beta4 8253
ATI Tray Tools 1.3.6... 8326
Полезная информация:

В 1989 году в Европе, в стенах Европейского совета по ядерным исследованиям (фр. Conseil Europe'en pour la Recherche Nucle'aire, CERN) родилась концепция Всемирной паутины. Её предложил знаменитый британский учёный Тим Бернерс-Ли, он же в течение двух лет разработал протокол HTTP, язык HTML и идентификаторы URI.

Общее голосование
Пользуетесь ли Вы ноутбуком?

Да, без него сейчас никуда

Пользуюсь, но редко

Нету, но собираюсь приобрести

Нету, он мне и не нужен

Популярные загрузки
TweakRAM 5.8 buil... 15522
Video Card Stabil... 10224
A64Tweaker v0.6 9700
CoreTemp 0.94 9637
CPUCooL 7.3.6 9427
MemTest 3.5 9370
RaBIT (ATI Radeon... 9265
MemMonster 4.65 9164
RivaTuner 2.0 RC 16 9136
MemOptimizer 3.0.1 9136
RSS News
Рекомендуем:
845 ГГц – новый рекорд для транзистора
РазноеГруппа учёных из Иллинойского Университета изготовила транзистор, способный функционировать на частоте 845 ГГц. Таким образом, предыдущий рекорд превышен сразу на 300 ГГц. Не исключено, что следующее достижение учёных превысит отметку в 1 ТГц.



Транзистор произведён из двух полупроводников и при этом имеет уникальную структуру, благодаря которой устройство и смогло продемонстрировать столь впечатляющие скоростные характеристики. Помимо уникальной структуры, решение сотрудников Иллинойского Университета отличается и чрезвычайно тонкими компонентами. В частности, сообщается, что толщина базы транзистора составляет всего 12,5 нм. При этом учёные «вытянули» структуру в вертикальном направлении, тем самым уменьшив дистанцию, которую необходимо преодолеть носителям заряда.

Интересно, что при комнатной температуре (25 градусов по шкале Цельсия) транзистор работает на частоте 765 ГГц, а рекордных 845 ГГц удалось добиться только лишь при снижении рабочей температуры до минус 55 градусов.

  • www.ferra.ru
  • Комментарии
    Нет комментариев.
    Добавить комментарий
    Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
    Рейтинги
    Рейтинг доступен только для пользователей.

    Пожалуйста, залогиньтесь или зарегистрируйтесь для голосования.

    Нет данных для оценки.
    Авторизация
    Логин

    Пароль



    Забыли пароль?
    Запросите новый здесь.
    Сейчас на сайте
    · Гостей: 2

    · Пользователей: 0

    · Всего пользователей: 933
    · Новый пользователь: Oliverk48
    Рекомендуем

    Время загрузки: 0.03 секунд 10,741,136 уникальных посетителей