May 02 2024 17:54:42
Навигация
· Главная
· Конференция
· Статьи
· Файловый архив
· Новости по темам
· Ссылки
· Связатся с нами
· Расширенный поиск
· Вакансии
Статьи по категориям:
Аналитика
Видеокарты
Звук и акустика
Игры
Корпуса и БП
Материнские платы
Моддинг
Мониторы
Носители информации
Ноутбуки и КПК
Оперативная память
Периферия
Софт
Процессоры
Системы охлаждения
Телефоны
Фотоаппараты
mp3 плееры
Акустика


Последние статьи
· Тестирование корпуса...
· Игра Bioshock – шок,...
· Фотоаппарат FUJIFILM...
· Вольтмод и тестирова...
· LeadTek GeForce 8400...
Новые файлы
Video Card Stability... 10276
RaBIT (ATI Radeon BI... 9328
PowerStrip 3.76 8524
nVidia Tray Tools 1.... 8907
nVHardPage SE 3.5 8625
NiBiTor (NVIDIA BIOS... 8561
GPU-Z 0.1.5 7964
aTuner 1.9.81 8061
ATITool 0.27 beta4 8313
ATI Tray Tools 1.3.6... 8378
Полезная информация:

Изначально термин Центральное процессорное устройство описывал специализированный класс логических машин, предназначенных для выполнения сложных компьютерных программ.

Общее голосование
Пользуетесь ли Вы ноутбуком?

Да, без него сейчас никуда

Пользуюсь, но редко

Нету, но собираюсь приобрести

Нету, он мне и не нужен

Популярные загрузки
TweakRAM 5.8 buil... 15576
Video Card Stabil... 10276
A64Tweaker v0.6 9751
CoreTemp 0.94 9692
MemTest 3.5 9510
CPUCooL 7.3.6 9480
RaBIT (ATI Radeon... 9328
MemMonster 4.65 9217
MemOptimizer 3.0.1 9200
RivaTuner 2.0 RC 16 9190
RSS News
Рекомендуем:
Intel держит в руках первый прототип PRAM
Флеш памятьКорпорация Intel заявила, что она совместно с ST Microelectronics, получила первый прототип энергонезависимой памяти, который как считает, руководство компании, будет способен заменить традиционную флэш-память и изменить лицо производства мобильных телефонов, музыкальных проигрывателей и даже компьютеров.



Речь идет о так называемой "памяти с изменением фазового состояния" (phase change memory, PCM или PRAM), основанной на способности халькогенида (chalcogenide) под воздействием нагрева и электрических полей изменять свое состояние с непроводящего аморфного в проводящее кристаллическое. Данный вид памяти прекрасно справляется как с хранением больших объемов данных, так и с хранением выполняемого кода, представляя, таким образом, удивительный сплав флэш-памяти и динамической памяти с произвольным доступом.

В прессе уже проходили сообщения о разработке Samsung первого прототипа PCM модуля. Сегодня Intel предоставила публике первую 250 мм подложку, которая содержала многочисленные 128-мегабитные чипы PCM, произведенные на одной из фабрик ST Microelectronics.

"Мы действительно уперлись в практически непреодолимые преграды на пути совершенствования технологии флэш-памяти. Нам необходим был какой-то решительный прорыв в исследованиях, для того чтобы сдвинуть процесс с мертвой точки", - говорит Эд Доллер (Ed Doller), главный технолог группы разработки флэш-памяти Intel. "Мы надеемся что PCM как раз и будет таким прорывом", - продолжил Доллер.

Intel собирается начать отгрузку образцов новой памяти в течение следующего месяца, но, как заявил Доллер, пройдут еще многие годы прежде чем данные модули появятся в выпускаемых на массовый рынок продуктах. "Не раньше 2010", закончил Доллер.

  • 3dnews.ru
  • Комментарии
    Нет комментариев.
    Добавить комментарий
    Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
    Рейтинги
    Рейтинг доступен только для пользователей.

    Пожалуйста, залогиньтесь или зарегистрируйтесь для голосования.

    Нет данных для оценки.
    Авторизация
    Логин

    Пароль



    Забыли пароль?
    Запросите новый здесь.
    Сейчас на сайте
    · Гостей: 1

    · Пользователей: 0

    · Всего пользователей: 933
    · Новый пользователь: Oliverk48
    Рекомендуем

    Время загрузки: 0.08 секунд 10,760,890 уникальных посетителей