Инженеры компании United Microelectronics Corporation (UMC). Сообщают о разработке технологии производства чипов SRAM-памяти по новому для себя технологическому процессу с проектной нормой 45-нм. Таким образом, площадь ячейки памяти составляет всего 0,25 кв. мкм. Сообщается, что производство столь миниатюрных схем требует использования иммерсионной фотолитографии, low-k диэлектриков, при этом формируются мелкозалегающие p-n-переходы и повышается подвижность носителей заряда.
Компания UMC планирует начать тестовое производство 45-нм микросхем в следующем году. При этом изготовленные но новому техпроцессу 6-транзисторные ячейки SRAM памяти будут на 50% меньше своих 65-нм аналогов. Более того, ожидается повышение и производительности – на 30%.
Стоит отметить, что конкурирующая компания Taiwan Semiconductor Manufacturing уже изготовила свой первый чип, используя 45-нм техпроцесс и иммерсионную фотолитографию. Устройство состоит из десяти металлических слоев, а длина затвора транзисторов составляет всего 26 нм. В этом случае использовалась технология напряженного кремния, диэлектрические пленки из low-k диэлектрика второго поколения (параметр k снижен до значения 2,5 – 2,6).
