Компания Samsung Electronics представила образец высокоплотной 16 Гб (2 ГБ) флэш-памяти NAND. Для ее изготовления впервые применен 50 нм технологический процесс. Как и в изготавливаемой сейчас 8 Гб-ой версии, в ней используется технология многоуровневой архитектуры ячейки (MLC) с 4 КБ страницей чтения/записи. По сравнению с прежним способом организации памяти, в два раза повышена скорость чтения, и в 1,5 раза — записи.
Благодаря практически удвоению производительности флэш-памяти NAND пользователи смогут быстрее считывать и передавать большие файлы, используя при этом как внешнюю карту памяти, так и наладонник со встроенным модулем moviNAND от той же Samsung.
Вполне очевидно, что темпы роста объемов флеш-памяти опережают темпы, определенные прогнозом Мура, согласно которому каждые 2 года количество транзисторов в микросхемах увеличивается в 2 раза. Закон Мура по-корейски — каждый год объем флеш памяти растет в 2 раза. Согласно плану компании производство 16 Гб чипов начнется в первом квартале текущего года.
